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微米碳化硅晶須在水介質(zhì)中的分散行為

發(fā)布日期:2015-01-24 11:25:34

微米碳化硅晶須在水介質(zhì)中的分散行為

以去離子水為分散介質(zhì),六偏磷酸鈉(SHP)和羧甲基纖維素鈉(CMC)為分散劑,利用沉降法、£電位、傅里葉變換紅外光譜 (FTIR)、TEM等測(cè)試技術(shù)研究了微米碳化硅晶須在水介質(zhì)中的分散穩(wěn)定機(jī)制,探討了 pH值、分散劑種類及含量對(duì)SiC微米晶須 分散行為的影響機(jī)制。結(jié)果表明:微米SiC晶須的分散機(jī)理為靜電穩(wěn)定機(jī)制,pH值、SHP和CMC對(duì)微米SiC晶須的分散性和穩(wěn) 定性有較大影響;pH值為丨丨時(shí),微米SiC晶須的分散性和穩(wěn)定性較好;SHP和CMC含量均為4wt%時(shí),SiC微米晶須懸浮液具 有良好的分散性能,分別在沉降時(shí)間18.5 h和22 h時(shí)相對(duì)沉降高度仍達(dá)96.89%和98%。六偏磷酸鈉的分散機(jī)制主要以提高顆 粒間的靜電斥力為主,而羧甲基纖維素鈉則為增大晶須表面的親水性和提高晶須表面的電位絕對(duì)值。

碳化桂晶須(SiCw)是一種長徑比一般大于10、 截面積一般小于52xl0-5 cm2的單晶無機(jī)纖維碳化 硅材料,具有高硬度,高彈性模量,高比強(qiáng)度及良好 的熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性,并且與鋁、鎂、鈦等金屬 及氧化鋁、氧化鋯等陶瓷有很好的化學(xué)相容性,是 金屬基、陶瓷基材料的重要補(bǔ)強(qiáng)增韌用材料之一, 在航空航天、汽車、熱機(jī)、運(yùn)動(dòng)器材等領(lǐng)域得到廣泛 應(yīng)用M。但由于范德華引力、表面張力作用及其自 身的形貌特性,SiCw極易產(chǎn)生嚴(yán)重的團(tuán)聚和纏繞, 大大影響其補(bǔ)強(qiáng)增韌效果的發(fā)揮因此,碳化硅晶 須在應(yīng)用之前能否均勻、穩(wěn)定地分散是必須要解決 的首要問題。
國內(nèi)外已有一些關(guān)于碳化硅晶須分散的研究 報(bào)道。Timoth產(chǎn)等研究了 pH值對(duì)碳化硅晶須分散 的影響,以及使用Hypermer KDI和Oloa 1200兩種 分散劑在甲酸、乙醇、正丁胺、正己烷、丁酮、丙酮、 甲苯等不同非水基介質(zhì)中分散碳化硅晶須,結(jié)果表 明,當(dāng)pH值在9~11之間時(shí),碳化硅晶須分散最好, 而甲酸是最好的非水基分散介質(zhì);羅伍文^等選用 水、乙醇、異丙醇、正丁醇、甲苯、己烷、四氯乙烯等 不同分散介質(zhì)及金屬醇鹽、高分子化合物等分散 劑,研究其對(duì)碳化硅晶須的分散效果,結(jié)果表明,金 屬醇鹽和高分子化合物均對(duì)碳化硅晶須有良好的 分散效果;繆世群等以正丁醇、異丙醇、乙醇、水等 為分散介質(zhì),以聚乙二醇、尿素、BRIJ35為分散劑研 究了對(duì)SiC晶須的分散效果,正丁醇為最佳的分散 介質(zhì),聚乙二醇為分散效果最佳的分散劑;凌律巍w 等以無水乙醇作為溶劑,采用醇鋁作為分散劑,研 究了 SiC晶須的分散性能,pH值為11時(shí)分散效果 尋好,醇鋁可很好地分散碳化硅晶須;李紹純P1等研 #了焦磷酸鈉、六偏磷酸鈉、吐溫80及聚乙二醇等 不同分散劑對(duì)SiC晶須分散的影響,結(jié)果表明焦磷 酸鈉對(duì)碳化硅晶須具有最佳的分散效果;王成文llW11 等研究了 SiCw晶須在水介質(zhì)中的分散與團(tuán)聚行 為,考察了 DP518、DP270、AMP-95 和 A-1230 四種 分散劑的分散效果,研究表明AMP-95具有最佳的 分散能力;熊昆^等以蒸餾水、乙醇與乙二醇的混合 液為分散介質(zhì),PEI、非離子型聚丙烯酰胺為分散 劑,對(duì)SiCw懸浮液的均勻穩(wěn)定分散性進(jìn)行了研究, 結(jié)果表明,以75%(體積分?jǐn)?shù))乙二醇與25%(體積分 數(shù)J無水乙醇的混合液為分散介質(zhì),分散效果最佳; 添加1.5%(質(zhì)量分?jǐn)?shù))PEI時(shí),SiCw能在pH=4~10的 范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)均勻穩(wěn)定分散,添加0.1%~0.3%(質(zhì)量分 數(shù))PAM時(shí),僅在PH=8~10能實(shí)現(xiàn)SiCw均勻穩(wěn)定分 散。然而,上述研究側(cè)重于分散介質(zhì)及分散劑對(duì)SiC 晶須分散效果的表征,分散機(jī)理尚未統(tǒng)一,常用的 分散劑的分散效果不太理想,在一定程度上限制了 SiC晶須的應(yīng)用。本課題的研究者經(jīng)過大量實(shí)驗(yàn),發(fā) 現(xiàn)六偏磷酸鈉(SHP)和羧甲基纖維素鈉(CMC)對(duì)碳 化硅晶須有較好的分散,且價(jià)格低廉。
六偏磷酸鈉是一種長鏈狀的無機(jī)多聚磷酸鹽, 在水介質(zhì)中能增大顆粒表面電位導(dǎo)致斥力增大以及 水解產(chǎn)物吸附形成位阻效應(yīng)的雙重效應(yīng)而實(shí)現(xiàn)顆粒 的分散??⒓谆w維素鈉是天然纖維素與氯乙酸經(jīng) 化學(xué)改性得到的一種具有醚結(jié)構(gòu)的衍生物,是一種 水溶性陰離子有機(jī)表面活性劑。它們均是水介質(zhì)懸 浮液的有效分散劑,然而兩種分散劑,應(yīng)用于SiCw 晶須的分散,鮮有研究。本文以去離子水為分散介 質(zhì),采用無機(jī)的六偏磷酸鈉(SHP)和有機(jī)的竣甲基纖 維素鈉(CMC)為分散劑,通過機(jī)械攪拌和超聲波方 法對(duì)SiC微米晶須懸浮液進(jìn)行分散,分析了 SiC微 米晶須在水介質(zhì)中的團(tuán)聚分散行為,研究了表面電 位、pH值、分散劑種類及含量對(duì)SiC微米晶須穩(wěn)定 分散的影響及分散機(jī)理,并確定最佳分散條件。
1實(shí)驗(yàn)部分
1.1實(shí)驗(yàn)原料
實(shí)驗(yàn)所用SiC微米晶須(微米SiCw)由徐州捷創(chuàng) 新材料科技有限公司生產(chǎn),純度99%。分散介質(zhì)為 去離子水(浙江大學(xué)化學(xué)系),HC1(分析純,杭州化學(xué) 試劑有限公司)和NaOH(分析純,國藥集團(tuán)化學(xué)試劑 有限公司)作為PH值調(diào)節(jié)劑,分散劑為六偏磷酸鈉 SHP(分析純,溫州東升化工試劑廠)和羧甲基纖維素 鈉CMC(化學(xué)純,上海展云化工有限公司)。
1.2實(shí)驗(yàn)過程
將一定量SiC微米晶須加入到去離子水中,機(jī) 械攪拌1 h,配制成質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1%的懸浮液。將懸 浮液倒人帶刻度的試管中,采用HC1和NaOH調(diào)節(jié) 懸浮液的pH值,或分別加入不同含量的 分散劑SHP和CMC (以相對(duì)于SiCw的質(zhì)量分?jǐn)?shù) 計(jì)),進(jìn)行超聲波分散15 min,超聲功率為45 W,頻 率為59 kHz;將經(jīng)過超聲分散的懸浮液分別靜置 10 min,30 min,4 h 及 18.5 h(22 h),觀察并記錄沉 降高度;利用 Colloidol Dynamics-Zetaprobe 電位儀 測(cè)量粉體表面電位,采用Avatar 360型傅里葉變換 紅外光譜儀(FTIR)分析粉體表面特性,采用 JEM200CX型透射電子顯微鏡(加速電壓200 kV)分 析晶須的形貌和分散狀態(tài)。
2結(jié)果與討論
2.1 pH值對(duì)碳化硅晶須分散性的影響
圖1不出了 SiCw相對(duì)沉降高度(Relative Sedimentation Height,RSH)與 pH 值的關(guān)系,從圖 1 中可以看出,在未加分散劑條件下,SiCw的沉降髙 度RSH均偏小,大部分都小于50%,說明SiCw的 分散穩(wěn)定性總體偏差;pH值對(duì)SiCw的分散性和穩(wěn) 定性有較大影響,隨著pH值的增加,RSH總體上呈 增大趨勢(shì),表明分散穩(wěn)定性有所改善。在相同的pH 值下,隨著沉降時(shí)間的增加,RSH明顯降低,表明分 散穩(wěn)定性急劇變差;靜置4 h后,碳化硅晶須已基本 沉降結(jié)束,相對(duì)沉降高度均在20%左右。
圖2為SiC晶須f電位與pH值的關(guān)系曲線。 從圖2中可以看出,隨pH值的增加,碳化硅晶須表 面由正電荷轉(zhuǎn)變?yōu)樨?fù)電荷,等電點(diǎn)在PH=3.2附近。 在pH=ll時(shí),晶須表面(電位達(dá)到-44.6 mV,這與 10 min時(shí)的相對(duì)沉降高度數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)。SiCw在不同 pH值下的分散行為主要取決于雙電層的靜電斥 力,在等電點(diǎn)處,晶須之間的范德華引力大于雙電 層的靜電斥力,晶須會(huì)產(chǎn)生團(tuán)聚而聚沉,當(dāng)^•電位 最大時(shí),晶須的雙電層表現(xiàn)為最大斥力,晶須更容 易分散。然而,隨著時(shí)間的延長,晶須之間的相互橋 連和纏結(jié)作用不斷增強(qiáng),當(dāng)團(tuán)聚形成的重力大于彼
此間的斥力時(shí),晶須逐漸沉降,pH值對(duì)晶須分散的 影響減弱。因此,單純通過調(diào)節(jié)pH值難于獲得穩(wěn)定 的SiCw分散體系。
2.2六偏磷酸鈉對(duì)碳化硅晶須的分散
圖3為碳化硅晶須添加不同含量六偏磷酸鈉 (SHP)經(jīng)不同時(shí)間的沉降情況。從圖3可見,當(dāng)沉降 時(shí)間為10 min時(shí),隨六偏磷酸鈉的含量丨相對(duì)碳化 硅晶須的含量)從0增加到lwt%,碳化硅晶須的分 散性有所提高,但波動(dòng)較大,并且在lwt%時(shí)有所降 低;當(dāng)含量提高到2wt%時(shí),相對(duì)沉降高度迅速提高 到99.18wt%,并在六偏磷酸鈉含量為4wt%時(shí)達(dá)到 最高,為99.22wt%,當(dāng)繼續(xù)增加六偏磷酸鈉的含量 至6wt%,分散性有所降低,此時(shí)相對(duì)沉降高度為 95.92wt%。在分散劑含量在0~lwt%范圍內(nèi),隨著沉 降時(shí)間的延長,碳化硅晶須迅速沉降,4 h時(shí)已基本 沉降完畢;六偏磷酸鈉在2wt%~6wt%范圍內(nèi)時(shí),沉 降高度下降不明顯。當(dāng)沉降時(shí)間為18.5 h時(shí),六偏 磷酸鈉含量為4%的晶須分散性最好,達(dá)96.89wt%。
圖3六偏磷酸鈉對(duì)SiCw沉降高度的影響 Fig.3 Effects of SHP on RSH of silicon carbide whiskers
圖4為六偏磷酸鈉及其作用前后碳化硅晶須 的紅外光譜,其中譜線a為純碳化硅晶須的紅外光 譜,在1112 cm-1和476 cnT1處的吸收峰,歸屬為 Si02的Si-0鍵,在808處較寬的吸收峰為Si-C 鍵特征峰|»]。譜c為六偏磷酸鈉的紅外光譜,1273 cm-1為六偏磷酸鈉分子中的P=0特征峰,P-0-P特 征峰在881 cm—1,P-0特征峰在1 088 cm—1和1 012 cnT1處^四。譜線b為六偏磷酸鈉作用后的碳化硅 晶須的紅外光譜圖,與a、c譜線對(duì)比,發(fā)現(xiàn)在1273 cm'l 632 cm-1,3435 cm-1處均出現(xiàn)較為明顯的特 征峰,而1632 cnT1和3435 cm-1處分別為水和-0H 的的特征峰,雖然在1632 cm-1和3435 cm-1處的特 征峰位置發(fā)生了位移,但可以說明六偏磷酸鈉以化學(xué)吸附的形式在碳化硅晶須表面吸附,并由于六偏 碟酸鈉分子長鏈中帶有大量的P〇3-基團(tuán),可以改變 碳化硅晶須表面的電性,增加晶須表面電位的絕對(duì) 值,如圖5所示,當(dāng)沉降時(shí)間為18.5 h時(shí),六偏磷酸 鈉含量為4wt%(PH=6.4)的晶須分散效果最佳,達(dá) 96.89%,此時(shí)(電位值為-42.2 mV,而在同一pH值 下,純碳化硅晶須的(電位為-26.71 mV。
羧甲基纖維素鈉對(duì)碳化硅晶須的分散
圖6示出了添加不同含量竣甲基纖維素鈉 (CMC)的碳化硅晶須沉降情況。當(dāng)在碳化硅晶須懸 浮液中加人0.06wt%的羧甲基纖維素鈉,在沉降時(shí) 間為10 min時(shí),晶須分散性略微有所提高,但是提 髙不明顯,僅從原來的33.48wt%提髙到38.78wt%; 而將羧甲基纖維素鈉的含量提高到0.2wt%時(shí),相對(duì) 沉降高度迅速提高到99.2wt%,并隨著其含量由 0.5wt%逐漸增加到6wt%,相對(duì)沉降高度基本保持 穩(wěn)定,幾乎無沉降。隨著時(shí)間延長到lh,4h及22 h,竣甲基纖維素鈉含量在0.06wt%~0.5wt%的碳化 硅晶須懸浮液逐漸沉降,并在22 h時(shí)沉降情況與無 分散劑的懸浮液基本一致。而添加0.8wt%~6wt% CMC的碳化硅晶須懸浮液,直到沉降時(shí)間為22 h 時(shí)依舊保持穩(wěn)定,沉降高度達(dá)96%以上,其中以添 加4wt%的CMC的分散效果最佳,相對(duì)沉降髙度達(dá) 98%,幾乎無沉降。
Content of CMC
圖6羧甲基纖維素鈉對(duì)SiCw沉降高度的影響 Fig.6 Effects of CMC on RSH of silicon carbide whiskers
圖7為竣甲基纖維素鈉作用前后碳化硅晶須 的紅外光譜,對(duì)比譜線a和b,特征峰基本一致,僅 在1 632 cm-1和3435 cm-1處,經(jīng)竣甲基纖維素鈉處 理后的特征峰有所增強(qiáng)。3435 cm-1處為-0H的伸 縮振動(dòng)峰,這是由于經(jīng)竣甲基纖維素鈉處理后吸收 水分所致。而1632 cm-1處的特征峰對(duì)應(yīng)為羧甲基 纖維素鈉中C00-非對(duì)稱伸縮振動(dòng)吸收峰,但由于 水的紅外吸收峰在1635 cm-1處因此,這只能 說明可能有微量的羧甲基纖維素鈉吸附在碳化硅 晶須表面。如圖8所示,沉降時(shí)間為22 h,分散效果 最佳的添加4wt% CMC的碳化硅晶須的表面g電 位達(dá)-79.8 mV,而在同一 pH值時(shí),純碳化硅晶須的 表面(電位僅為-28.03 mV,這說明碳化硅晶須表 面吸附有微量的CMC。
分散機(jī)理討論
根據(jù)DLVO理論,顆粒之間主要存在著兩種作 用力:相互吸引的范德華力和靜電排斥力。這兩種 相反的作用力共同決定了顆粒的分散性和穩(wěn)定性。 范德華力是一種普遍存在的作用力,而靜電斥力的 產(chǎn)生主要是由于顆粒表面酸性或堿性基團(tuán)的解離、 晶格取代、離子吸附等造成的。因此顆粒在液體介 質(zhì)中的表面帶電情況將直接影響到顆粒的分散狀 態(tài),而顆粒表面所帶電荷的多少和種類又與分散介 質(zhì)、溶液pH值、分散劑的種類和用量密切相關(guān) 化學(xué)分散劑的主要作用是極大地增強(qiáng)顆粒間 的排斥作用能,主要通過以下3種方式實(shí)現(xiàn):<1>增 大顆粒表面電位的絕對(duì)值以提高顆粒間靜電排斥 作用能;(2)通過高分子分散劑在顆粒表面形成吸 附層,產(chǎn)生并強(qiáng)化空間位阻效應(yīng),使顆粒間的位阻 排斥作用能增大;(3)增強(qiáng)顆粒表面的親水性,加大 水化膜的強(qiáng)度和厚度,使顆粒間的水化排斥作用能 顯著增大w,。
六偏磷酸鈉是多聚磷酸鈉鹽(NaPO‘,這種玻 璃狀的磷酸鹽不含或含少量的環(huán)狀(NaPO梟,而是 一種長鏈狀的多聚磷酸鹽,其聚合度rt=500?10 000,其結(jié)構(gòu)式為[141:
從圖4中可以知道,在碳化硅晶須中加人六偏 磷酸鈉后存在P=0特征峰,說明六偏磷酸鈉以化學(xué) 吸附形式吸附在碳化硅晶須表面,增大碳化硅晶須 表面電位的絕對(duì)值,提髙晶須間靜電排斥作用能。 圖9為碳化硅晶須分散前后的TEM照片,從圖中 可以看出,經(jīng)六偏磷酸鈉分散后,碳化硅晶須在一 定程度上有所分散,結(jié)合紅外圖譜可以推測(cè),六偏 磷酸鈉分散碳化硅晶須的主要形式為顆粒間的靜 電斥力作用。但作為大分子化合物,六偏磷酸鈉的 空間斥力也不可忽略,因此,空間位阻效應(yīng)也是其 分散碳化硅晶須的形式之一。
羧甲基纖維素鈉是天然纖維素與氣乙酸經(jīng)化學(xué) 改性得到的一種具有醚結(jié)構(gòu)的衍生物,屬于水溶性 陰離子表面活性劑。CMC在水中成膠體狀態(tài),其水 溶液具有增稠.、成膜、黏結(jié)、水分保持、膠體保護(hù)、乳 化及懸浮等作用從圖9c中可以看出,經(jīng)羧甲基纖 維素鈉作用后,碳化硅晶須已得到較好的分散,根據(jù) 圖7中的紅外圖譜,羧甲基纖維素鈉可能只有微量
附著在碳化硅晶須表面,這說明羧甲基纖維素鈉分 散碳化硅晶須的主要形式是增加晶須表面的親水 性,加大了水化膜的強(qiáng)度和厚度,使顆粒間的水化 斥作用能增大所致。另外,根據(jù)沉降時(shí)間為22 h,添 加4% CMC的(電位測(cè)試(圖8)可知,CMC的另外一 種分散形式為增大晶須表面的電位絕對(duì)值,提高顆 粒間的靜電排斥作用而達(dá)到分散的效果。
3結(jié)論
(1)碳化硅晶須在純水介質(zhì)中分散性較差,隨 著pH值的增加,碳化硅晶須在水中的分散性有所 改善,而隨著沉降時(shí)間的增加,其分散穩(wěn)定性急劇 變差;靜置4 h后,碳化硅晶須已基本沉降結(jié)束。
(2)六偏磷酸鈉對(duì)碳化硅晶須具有良好的分散 效果,當(dāng)其相對(duì)碳化硅晶須含量為4wt%時(shí)效果最 好,在沉降時(shí)間為18.5 h時(shí),相對(duì)沉降高度為 96.89%。
(3)竣甲基纖維素鈉可以更好地促進(jìn)碳化硅晶 須在水介質(zhì)中的分散,且在相對(duì)含量為4wt%時(shí)效 果最好,在沉降時(shí)間為22 h時(shí),其相對(duì)沉降高度達(dá) 98% 0
(4)六偏磷酸鈉和羧甲基纖維素鈉雖然都可以 很好地在水介質(zhì)中分散碳化硅晶須,但二者分散機(jī) 理不同,六偏磷酸鈉以提高顆粒間的靜電斥力為 主,而羧甲基纖維素鈉的分散機(jī)理則為增大晶須表 面的親水性和提高晶須表面的電位絕對(duì)值。
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